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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4755A-TR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4755A-TR价格参考。Vishay1N4755A-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N4755A-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4755A-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的1N4755A-TR是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号的标称齐纳电压为30V,功率耗散能力为1W,具有较高的电压稳定性和良好的温度稳定性。1N4755A-TR常用于需要精确稳压的电子电路中。 其主要应用场景包括:电源稳压电路,用于维持输出电压的稳定,防止因输入电压波动或负载变化导致的电压漂移;过压保护电路,作为电压钳位元件,保护敏感器件免受高压冲击;参考电压源,为模拟电路(如运算放大器、ADC/DAC转换器)提供稳定的基准电压;以及在消费类电子产品、工业控制设备、通信设备和电源适配器中实现电压调节与保护功能。 由于采用DO-41封装,1N4755A-TR体积小,适合印刷电路板(PCB)安装,广泛应用于空间受限但需高可靠性的场合。其“-TR”后缀表示产品为卷带包装,适用于自动化贴片生产,提升制造效率。总体而言,1N4755A-TR凭借其稳定的电气性能和可靠的封装形式,是中低功率稳压应用中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 43V 1.3W DO41稳压二极管 43 Volt 1.3 Watt |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors 1N4755A-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N4755A-TR1N4755A-TR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 32.7V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 1N4755AVSCT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大齐纳阻抗 | 70 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 43V |
| 电压容差 | 5 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |
| 齐纳电压 | 43 V |
| 齐纳电流 | 22 mA |