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  • 型号: 1N4737AP/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N4737AP/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4737AP/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N4737AP/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N4737AP/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4737AP/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N4737AP/TR8是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类型。其主要应用场景包括:

1. 电压参考:该器件提供稳定的齐纳电压(通常为7.5V),广泛用于模拟电路中作为电压基准源,确保电路中其他元件工作在稳定电压下。

2. 电压钳位与保护电路:在电源管理或信号处理电路中,用于限制电压幅度,防止瞬态高压对后续电路造成损害,如静电放电(ESD)保护或过压保护。

3. 稳压电路:适用于低功耗稳压应用,如电池供电设备、便携式电子产品中的局部稳压电路。

4. 信号调节:在模拟信号处理电路中,用于限制信号幅度或构建限幅电路,确保信号在安全范围内。

5. 工业控制与通信设备:常见于工业自动化设备、通信模块、传感器接口等对电压稳定性要求较高的场合。

该器件采用TO-276AA(SOT-23-2)封装,适合表面贴装,具备较好的稳定性和可靠性,适用于宽温度范围,适合工业级应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 7.5V 1W DO41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10911-sa5-33-pdf

产品图片

产品型号

1N4737AP/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10µA @ 5V

产品目录绘图

供应商器件封装

DO-204AL(DO-41)

其它名称

1N4737A P
1N4737ADO41
1N4737ADO41MSTR
1N4737ADO41MSTR-ND
1N4737AMSTR
1N4737AMSTR-ND
1N4737AP
1N4737AP/TR8-ND
1N4737AP/TR8TR
1N4737APMSTR
1N4737APMSTR-ND

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

7.5V

阻抗(最大值)(Zzt)

4 欧姆

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