图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1.5KE10ARL4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1.5KE10ARL4G价格参考。ON Semiconductor1.5KE10ARL4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1.5KE10ARL4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1.5KE10ARL4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1.5KE10ARL4G 是安森美(ON Semiconductor)推出的单向瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于1.5KE系列,额定峰值脉冲功率为1500W,击穿电压典型值为10.5V(最小10.0V,最大11.1V),钳位电压约17.0V(在20A测试电流下)。 其主要应用场景包括: - 电源输入端口保护:用于AC/DC适配器、开关电源、工业电源模块等的直流输入侧,防止雷击感应浪涌、开关噪声或负载突变引起的瞬态过压损坏后级IC(如MCU、稳压器)。 - 通信接口防护:适用于RS-232、RS-485、CAN总线等低速接口的供电或信号线(配合限流电阻使用),提供IEC 61000-4-2接触放电±8kV、空气放电±15kV级别的静电防护。 - 消费电子与家电:在电视、机顶盒、智能电表、LED驱动电源等设备中,保护敏感模拟/数字电路免受ESD及EFT(电快速瞬变)干扰。 - 汽车电子辅助系统:虽非AEC-Q200认证型号,但在非安全关键的车载附件(如OBD接口、车载充电器)中可作低成本过压防护方案(需结合实际设计验证)。 该器件采用DO-201AD封装,体积较大、散热性好,适合中高能量浪涌场景;但响应速度(<1ns)和低钳位特性使其更适用于中低频、高能量瞬态(如雷击耦合、感性负载关断),不适用于高速数据线(如USB、HDMI)的精细保护。选型时需注意其单向结构仅适用于正向偏置电路,且须配合前端保险丝或PTC实现故障安全。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC AXIALTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10V 1500W Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor 1.5KE10ARL4GMosorb™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1.5KE10ARL4G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 击穿电压 | 9.5 V |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-201AD,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-201AD |
| 尺寸 | 5.3 mm Dia. x 9.5 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 103 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 1.5 kW |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 工作电压 | 8.55 V |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-击穿(最小值) | 9.5V |
| 电压-反向关态(典型值) | 8.55V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 14.5V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | Axial |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | 1N6267A |
| 钳位电压 | 14.5 V |