Datasheet下载- 型号： ZXTS1000E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTS1000E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTS1000E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXTS1000E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXTS1000E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTS1000E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXTS1000E6TA是Diodes公司生产的一款双极型晶体管（BJT），常用于需要高频率和高增益的电路设计中。该晶体管具有良好的高频性能和稳定性，适用于射频（RF）放大器、无线通信设备、数据传输系统等高频电子电路中。此外，它也可用于电源管理、开关电路及模拟信号处理等领域。其高可靠性和紧凑的封装形式使其在空间受限和高性能要求的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP/DIODE SCHOTTKY SOT23-6TRANS PNP/DIODE SCHOTTKY SOT23-6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Diodes IncorporatedDiodes/Zetex |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXTS1000E6TAZXTS1000E6TA |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | -- |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 240mV @ 100mA，1.25A240mV @ 100mA，1.25A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V200 @ 500mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXTS1000E6CT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 885mW885mW |
| 包装 | 剪切带 （CT）带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6SOT-23-6 |
| 晶体管类型 | PNP + 二极管（隔离式）PNP + 二极管（隔离式） |
| 标准包装 | 13,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.25A1.25A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10nA10nA |
| 频率-跃迁 | 220MHz220MHz |
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