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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMS6006DGTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMS6006DGTA价格参考¥4.22-¥9.82。Diodes Inc.ZXMS6006DGTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMS6006DGTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMS6006DGTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes公司的ZXMS6006DGTA是一款用于电源管理的配电开关/负载驱动器,广泛应用于需要高效电源控制的电子设备中。该器件常用于工业自动化、通信设备、服务器和电源管理系统等领域。其主要功能包括负载开关控制、电流限制保护和热保护,适用于需要高可靠性和稳定性的场景。 在工业自动化系统中,ZXMS6006DGTA可用于控制各种传感器、执行器和电机驱动模块的电源分配,实现对负载的精确管理。在通信设备和服务器中,它可用于管理多个子系统的电源供应,提升整体能效并防止过载损坏。此外,该器件也适用于电池供电设备,如便携式仪器和智能终端,用于优化电源使用、延长电池寿命。 总之,ZXMS6006DGTA凭借其高集成度、可靠性和灵活的控制能力,适用于多种需要智能电源分配和负载管理的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V SOT223MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMS6006DGTAINTELLIFET® |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMS6006DGTA |
Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZXMS6006DGTADI |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | * |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 75 毫欧 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-电源 | 0 V ~ 5.5 V |
电流-峰值输出 | 13A |
电流-输出/通道 | 2.8A |
类型 | 低端 |
输入类型 | 非反相 |
输出数 | 1 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |