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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX855STZ由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX855STZ价格参考。Diodes Inc.ZTX855STZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZTX855STZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZTX855STZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZTX855STZ是Diodes Incorporated生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高增益、中功率达林顿晶体管。其主要应用场景包括需要较高电流放大倍数和中等功率开关能力的电子电路。 该器件常用于电源管理电路中的开关应用,如DC-DC转换器、继电器驱动、LED驱动电路以及电机控制模块。由于其高电流增益特性,ZTX855STZ适合在输入信号较弱但仍需驱动较大负载的场合使用,例如微控制器与高功率外设之间的接口缓冲与信号放大。 此外,ZTX855STZ广泛应用于消费类电子产品(如家电控制板、充电设备)、工业控制系统和汽车电子模块中,胜任如信号切换、脉冲放大和低频功率放大等功能。其SOT-223封装具有良好的散热性能,适用于紧凑型高密度PCB设计。 总体而言,ZTX855STZ适用于需要高增益、可靠开关性能和中等功率处理能力的通用模拟与数字电路场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN MED PWR E-LINE |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZTX855STZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 260mV @ 400mA,4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,5V |
| 供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 90MHz |