图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： ZDT1053TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZDT1053TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZDT1053TA价格参考。Diodes Inc.ZDT1053TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZDT1053TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZDT1053TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 75V 5A 8SM两极晶体管 - BJT Dual 75V NPN HighG |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZDT1053TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZDT1053TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 440mV @ 250mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SM8 |
| 其它名称 | ZDT1053DKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 2.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 封装/箱体 | SM-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 2.75 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 75V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 260 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 260 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V, 30 at 5 A at 2 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 75 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 150 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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