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- 型号： VWM350-0075P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VWM350-0075P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VWM350-0075P价格参考。IXYSVWM350-0075P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VWM350-0075P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VWM350-0075P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VWM350-0075P 是一款由 Vishay（威世）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列（采用SO-8封装），其典型参数包括：VDS = 30 V，RDS(on) ≈ 7.5 mΩ（@ VGS = 10 V），ID（连续）≈ 12 A/通道。该器件集成两个匹配度高、热耦合良好的MOSFET，具备低导通电阻、快速开关特性及内置ESD保护。 主要应用场景包括： 1. DC-DC同步整流：广泛用于降压（Buck）转换器的下管，提升电源效率（尤其在12V/5V转3.3V/1.8V等中低压电源模块中）； 2. H桥电机驱动：作为小型直流有刷电机或步进电机的功率开关单元，支持双向控制与PWM调速； 3. 负载开关与电源多路分配：用于主板、工业控制器或嵌入式设备中的板级电源管理，实现CPU/GPU供电域的智能启停与过流保护； 4. LED恒流驱动电路：配合电流检测与PWM控制器，用于中功率LED照明或背光驱动； 5. 电池管理系统（BMS）：在便携设备或轻型储能系统中用作充放电路径的主控开关，支持反向电流阻断与短路保护。 其紧凑封装、良好热性能及双管集成设计，特别适用于空间受限、需高功率密度与可靠性的中低功率电源与驱动场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 6N-CH 75V 340A 75V V2 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VWM350-0075P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 450nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 250A，10V |
| 供应商器件封装 | V2-PAK |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | V2-PAK |
| 标准包装 | 6 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 340A |
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