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产品简介:
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VS-1N3768R 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款高性能硅整流二极管,属于标准恢复型(Standard Recovery)单管整流器。其典型额定参数为:最大平均正向整流电流 IF(AV) = 1 A,峰值反向电压 VRRM = 1000 V,正向压降 VF ≈ 1.1 V(在 IF = 1 A、TJ = 25°C 条件下),反向恢复时间 trr 约为 2–4 μs(属中速恢复特性)。 该器件主要应用于中低频、中小功率的交流转直流(AC/DC)整流场景,典型包括: - 工业控制电源中的桥式或半波整流电路; - 通用开关电源(SMPS)的输入级整流(尤其适用于工作频率 ≤ 20 kHz 的传统PWM拓扑); - 电焊机、UPS、电机驱动器等设备的辅助电源整流; - 高压直流偏置电路、继电器/接触器驱动回路中的反电动势钳位与续流保护; - 老旧式线性电源及电池充电器中的高压整流环节。 其高耐压(1000 V)、稳定热性能(TO-204AA / DO-4 封装,可安装散热片)及成熟可靠的硅工艺,使其在成本敏感、对EMI要求不高、且无需超高速切换的工业环境中具有较高性价比和长期供货保障。需注意:不适用于高频(>50 kHz)或对反向恢复损耗敏感的PFC电路,此类场景建议选用快恢复或超快恢复二极管替代。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VS-1N3768R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 110A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2mA @ 1000V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 供应商器件封装 | DO-203AB |
| 其它名称 | *1N3768R |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 底座,接线柱安装 |
| 封装/外壳 | DO-203AB,DO-5,接线柱 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 1000V(1kV) |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |