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  • 型号: VQ1006P-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VQ1006P-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VQ1006P-E3价格参考。VishayVQ1006P-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VQ1006P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VQ1006P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 VQ1006P-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其应用场景主要包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关及负载管理,因其低导通电阻和高效率特性,有助于减少能耗与发热。

2. 电机驱动:在小型电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件,实现对电机启停和方向的控制。

3. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中,用于电池充放电管理和电源路径控制。

4. 工业自动化:用于PLC、传感器模块及工业控制设备中的信号切换与功率调节。

5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明控制、电动窗或座椅的驱动电路中,提供可靠且紧凑的功率控制方案。

该器件采用TSSOP封装,体积小、集成度高,适合高密度PCB设计,同时具备良好的热稳定性和耐用性,适用于中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 4N-CH 90V 400MA 14DIP

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

4 个 N 通道

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

VQ1006P-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 欧姆 @ 1A,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

2W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

-

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

90V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

400mA

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