Datasheet下载- 型号： VP0808B
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VP0808B由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VP0808B价格参考。VishayVP0808B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VP0808B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VP0808B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VP0808B 是 Vishay Siliconix 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个器件），采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.8Ω @ VGS = −4.5V）、低阈值电压（VGS(th) 典型值 −1.0V）和小尺寸封装等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗关断特性和快速开关能力实现高效电源通断控制。 2. 反向电流阻断与电池备份切换：在双电源系统（如主电源+备用电池）中，作为理想二极管控制器的配套器件，防止电池反向放电或回流。 3. 低压直流稳压电路中的同步整流或开关调节：适用于 3.3V/5V 等低压轨，配合 DC-DC 转换器提升效率。 4. LED 驱动与背光控制：用于中小电流 LED 的阴极侧调光开关，支持 PWM 调光，响应快、发热低。 5. 工业与消费类终端设备的信号级开关：如传感器接口、I/O 扩展电路中的电平转换或使能控制。 该器件无需驱动芯片即可由 MCU GPIO 直接驱动（兼容 1.8V–5V 逻辑电平），且具备良好的 ESD 防护（HBM ±2kV），适合空间受限、对成本与可靠性要求较高的嵌入式应用。注意其最大漏源电压仅 −20V，不适用于高压或高功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 80V 880MA TO-205 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VP0808B |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 6.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 880mA （Ta） |
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