Datasheet下载- 型号： VP0808B-2
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VP0808B-2由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VP0808B-2价格参考。VishayVP0808B-2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VP0808B-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VP0808B-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VP0808B-2 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（逻辑电平），采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.8Ω @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与高效唤醒。 2. 高边/低边开关应用：常作为高边开关（源极接电源）配合逻辑电平驱动（如 MCU GPIO 直驱），适用于 LED 背光控制、USB 端口电源开关、传感器模块供电管理等。 3. 电池供电系统保护：在单节锂电（2.5–5.5V 工作范围）或碱性电池系统中，用作反向电流阻断（防倒灌）、过流/短路保护的主控开关元件。 4. DC-DC 转换器辅助电路：在同步降压转换器中作为同步整流管（需注意其 P 沟道特性适合高侧配置），或用于电源路径管理（Power Path Management）以实现充电与供电无缝切换。 5. 工业与物联网节点：在低功耗传感器节点、远程控制器中，承担使能控制、信号隔离或小型继电器替代功能，凭借小尺寸（SOT-23）和无需外部驱动器的优势，简化设计并节省 PCB 面积。 该器件不适用于大电流主功率开关（连续漏极电流仅 0.8A），主要面向毫安级至数百毫安级的精密、低功耗开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 80V 880MA TO-205 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VP0808B-2 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 6.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 880mA （Ta） |
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