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  • 型号: VMO550-01F
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VMO550-01F由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO550-01F价格参考。IXYSVMO550-01F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VMO550-01F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VMO550-01F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS(现属Littelfuse)的VMO550-01F是一款高压、高电流、快速恢复型N沟道增强型MOSFET,采用TO-247封装,额定参数为:VDS = 1000 V,ID(连续)= 5.5 A,RDS(on) ≈ 2.0 Ω(典型值),具备低栅极电荷与快速开关特性。其典型应用场景包括:

1. 工业电源与开关电源(SMPS):适用于AC-DC整流后级的高压DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路中的升压开关管,尤其适合中等功率(数百瓦级)、高输入电压(如380–800 V DC母线)场合。

2. 电机驱动与逆变器:用于中小功率通用变频器、伺服驱动器或步进电机驱动模块中的单相桥臂开关,支持高频PWM调制(可达数十kHz),兼顾效率与热管理。

3. 固态继电器(SSR)与电子断路器:凭借高耐压与可靠隔离能力,常作为高压直流负载(如LED路灯供电、工业加热控制)的无触点通断器件。

4. 医疗与测试设备电源:在X射线发生器、激光驱动电源等需稳定高压输出的精密设备中,承担主功率开关功能。

5. 可再生能源系统:用于小型光伏汇流箱中的组串级关断(RSD)保护开关,满足UL 1741 SB安全要求。

该器件强调高可靠性与鲁棒性(含雪崩耐量),但需注意其导通电阻相对较高,不适用于超低损耗或大电流(>10A)场景;设计时应加强散热(建议使用≥100 cm²散热器)并优化驱动电路(推荐12–15 V栅压,避免米勒效应误导通)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

VMO550-01F

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6V @ 110mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2000nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.1 毫欧 @ 500mA,10V

供应商器件封装

Y3-DCB

功率-最大值

2200W

包装

散装

安装类型

底座安装

封装/外壳

Y3-DCB

标准包装

2

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

590A

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