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- 型号： VMO150-01P1
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMO150-01P1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO150-01P1价格参考。IXYSVMO150-01P1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMO150-01P1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMO150-01P1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMO150-01P1 是一款由 Vishay（威世）生产的 N 沟道增强型垂直功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，额定漏源电压 VDS = 150 V，连续漏极电流 ID = 14 A（Tc = 25°C），导通电阻 RDS(on) 典型值仅 0.085 Ω，具备低开关损耗与高效率特性。 其典型应用场景包括： ✅ 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路中的主开关管或同步整流器件； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）、步进电机驱动器及电动工具、风扇/泵类负载的H桥或半桥驱动； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主控开关，支持150V高压锂电组（如48V–96V系统）； ✅ 照明电子：LED 恒流驱动电源、智能调光镇流器中的高频开关元件； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（需确认具体批次），可用于车载DC/DC转换、车身控制模块（BCM）中的负载开关等非安全关键应用。 该器件具备雪崩耐量（RAS）、低栅极电荷（Qg ≈ 30 nC）及良好的热稳定性，适合中频（≤100 kHz）硬开关应用。使用时建议配合合适驱动电路与散热设计，确保结温低于175°C。 （注：“品牌为-”应为品牌信息缺失，实际制造商为Vishay；型号VMO150-01P1属其“PowerPAK®”系列衍生产品，广泛用于高可靠性工业场景。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VMO150-01P1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 400nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 90A，10V |
| 供应商器件封装 | ECO-PAC2 |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ECO-PAC2 |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 165A |
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