Datasheet下载- 型号： VMM650-01F
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMM650-01F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMM650-01F价格参考。IXYSVMM650-01F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMM650-01F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMM650-01F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMM650-01F 是 IXYS（现属 Littelfuse）推出的高压、高可靠性双通道N沟道MOSFET阵列模块，采用共源极、隔离式双管封装（如TO-247-4L），额定电压1000V，连续漏极电流达30A（Tc=25℃），具备低导通电阻（Rds(on)典型值约0.12Ω）和快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动与变频器：用于三相逆变桥臂的上/下桥臂或制动斩波电路，尤其适用于中高压（690VAC系统）、大功率（10–50kW级）交流电机控制，提升能效与动态响应。 2. 不间断电源（UPS）与储能系统（ESS）：在DC/AC逆变环节承担高频开关任务，支持双向能量流动，满足高可靠性、长寿命要求；常用于在线式UPS主逆变器及电池侧DC/DC变换器。 3. 感应加热与高频电源：适用于谐振式拓扑（如LLC、串联谐振），利用其快速体二极管恢复特性与低开关损耗，实现kHz–100kHz级高效热能转换。 4. 光伏并网逆变器：用于升压级（Boost）或逆变级（H桥），耐受直流母线高压（如1000V+ PV输入），支持MPPT跟踪与电网同步。 5. 特种电源与焊接设备：在IGBT替代方案中提供更优开关性能，适用于高频逆变焊机、等离子切割电源等对di/dt和dv/dt敏感的场合。 该器件集成双管结构简化PCB布局，增强电气隔离与热耦合一致性，广泛应用于严苛工业环境（如电力、能源、轨道交通），需配合优化栅极驱动与散热设计以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET MOD PHASE LEG 100V Y3-LI |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VMM650-01F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 30mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1440nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 500A，10V |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-Li |
| 标准包装 | 2 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 680A |
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