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- 型号： VM0550-2F
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VM0550-2F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VM0550-2F价格参考。IXYSVM0550-2F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VM0550-2F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VM0550-2F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS（现属Littelfuse）的VM0550-2F是一款高压、高速、低导通电阻的N沟道增强型MOSFET，采用TO-247封装，典型参数：VDS = 550 V，ID = 16 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 0.25 Ω，具备快速开关特性与良好的雪崩耐受能力。 其主要应用场景包括： ✅ 工业开关电源（SMPS）：用于PFC（功率因数校正）电路或主功率开关级，适配中高功率（500W–2kW级）AC/DC转换器； ✅ UPS与逆变器系统：在DC-AC逆变桥臂中承担高频开关任务，支持工频及高频调制拓扑（如SPWM、SVPWM）； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率（如1–3 kW）三相变频驱动中的IGBT替代方案，尤其在需更高开关频率与效率的场合； ✅ 感应加热与焊接设备：利用其快速开通/关断（ton/toff < 50 ns）和强抗dv/dt能力，满足谐振式高频功率变换需求； ✅ 光伏并网逆变器：作为直流侧或交流侧开关器件，支持MPPT跟踪与并网同步控制。 该器件强调可靠性与鲁棒性，内置体二极管具有较低反向恢复电荷（Qrr），有助于降低EMI与开关损耗。设计时需注意栅极驱动电压（推荐10–15 V）、散热管理（建议搭配足够面积散热器）及PCB布局以抑制寄生振荡。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 590A MODULE |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VM0550-2F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2000nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 其它名称 | Q1221985 |
| 功率-最大值 | 2200W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 标准包装 | 3 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 590A |
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