Datasheet下载- 型号： VEMT2003X01
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VEMT2003X01由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VEMT2003X01价格参考。VishayVEMT2003X01封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VEMT2003X01参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VEMT2003X01 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 传感器，变送器光电子产品 |
| 描述 | NPN PHOTO TRANSISTOR SMD REV. GU光电晶体管 20V 100mW 35Deg |
| 产品分类 | 光学传感器 - 光电晶体管光学探测器和传感器 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Opto Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光电晶体管,Vishay Semiconductors VEMT2003X01- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VEMT2003X01VEMT2003X01 |
| 产品 | Phototransistors |
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 其它名称 | VEMT2003X01DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD，Z形弯曲d |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 朝向 | 顶视图 |
| 标准包装 | 1 |
| 波长 | 860 nm860nm |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-暗(Id)（最大值） | 1nA |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 类型 | Silicon NPN Phototransistor |
| 系列 | VEMT |
| 视角 | 70° |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
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