数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供V12P12-M3/86A由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 V12P12-M3/86A价格参考。VishayV12P12-M3/86A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载V12P12-M3/86A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有V12P12-M3/86A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的V12P12-M3/86A是一款二极管 - 整流器 - 单类型的产品,广泛应用于电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源转换 - V12P12-M3/86A适用于各种开关电源(SMPS)和直流-直流(DC-DC)转换器中,用于整流功能。它可以将交流电(AC)转换为稳定的直流电(DC),为设备提供可靠的电源支持。 - 常见应用包括适配器、充电器以及工业电源。 2. 电机驱动 - 在电机驱动电路中,该二极管可用于续流回路,保护电路免受反向电动势的损害。它能够快速响应并释放电机关闭时产生的感应电流。 - 应用于家用电器(如洗衣机、冰箱)或工业设备中的电机控制系统。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中,这款二极管可以作为旁路二极管或整流二极管使用,确保太阳能电池板在部分遮挡或其他异常情况下仍能正常工作。 - 它还帮助提高系统的效率和稳定性。 4. 不间断电源(UPS) - V12P12-M3/86A可用于UPS的输入整流阶段,将市电转化为直流电存储于电池中,并在需要时逆变为交流电输出。 - 其高可靠性和低正向压降特性使其非常适合此类应用。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,该二极管可应用于发电机整流桥、车载充电器以及LED照明驱动等场景。 - 它具备良好的耐高温性能和抗浪涌能力,适应严苛的车规环境。 6. 通信设备 - 用于基站、路由器和其他通信设备的电源模块中,提供高效的电能转换和保护功能。 - 其紧凑的设计和出色的电气性能满足现代通信设备对小型化和高效能的需求。 总结来说,V12P12-M3/86A凭借其高可靠性、低损耗及快速恢复特性,在众多需要高效电能转换和保护的领域都有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A肖特基二极管与整流器 12 Amp 120 Volt |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors V12P12-M3/86AeSMP™, TMBS® |
数据手册 | |
产品型号 | V12P12-M3/86AV12P12-M3/86A |
不同If时的电压-正向(Vf) | 800mV @ 12A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 120V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Rectifiers |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-277A |
其它名称 | V12P12-M3/86AGIDKR |
包装 | Digi-Reel® |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Vishay Semiconductors |
商标名 | TMBS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
封装/箱体 | SMPC (TO-277A) |
峰值反向电压 | 120 V |
工作温度-结 | -40°C ~ 150°C |
工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 1500 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 500 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 150 A |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 0.8 V |
正向连续电流 | 12 A |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 120V |
电流-平均整流(Io) | 12A |
系列 | V12Pxx |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single Dual Anode |