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  • 型号: TRS8E65C,S1Q
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TRS8E65C,S1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TRS8E65C,S1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TRS8E65C,S1Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TRS8E65C,S1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TRS8E65C,S1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)生产的TRS8E65C,S1Q是一款二极管 - 整流器 - 单类型的产品。以下是其可能的应用场景:

 1. 电源转换与整流
   - TRS8E65C,S1Q可用于将交流电(AC)转换为直流电(DC)的整流电路中,例如开关电源(SMPS)、适配器和充电器等。
   - 在工业设备、家用电器和消费电子产品的电源模块中,该二极管可实现高效的电压整流。

 2. 逆变器与电机驱动
   - 在逆变器电路中,这款二极管可用于辅助电路的整流或续流功能,确保电流的单向流动。
   - 适用于小型电机驱动器中的续流保护,防止反电动势对电路造成损害。

 3. 太阳能发电系统
   - 在光伏系统中,该二极管可以用于旁路保护或整流电路,避免因部分电池板遮挡导致的整体效率下降。

 4. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,如车载充电器、LED照明驱动电路或传感器模块中,该二极管可用于整流和保护功能。
   - 其高可靠性设计适合汽车环境下的温度变化和振动条件。

 5. 家电与消费电子产品
   - 应用于家用电器(如洗衣机、冰箱、空调等)的电源模块中,提供稳定的直流电源。
   - 在音频设备、显示器和其他消费电子产品中,作为整流或保护元件使用。

 6. 通信设备
   - 在通信基站、路由器或其他网络设备的电源模块中,TRS8E65C,S1Q可用于高效整流,支持设备的稳定运行。

 特性优势:
- 高耐压:能够承受较高的反向电压,适用于高压应用场景。
- 低正向压降:减少功率损耗,提高整体效率。
- 快速恢复特性:适合高频开关电路。

总之,TRS8E65C,S1Q凭借其高性能和可靠性,广泛应用于各种需要整流和保护功能的电路中,特别是在需要高效能量转换的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO-220-2L肖特基二极管与整流器 SiC Schottky 650V 90uA 1.70V IF 8A

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TRS8E65C&lang=en&type=datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Toshiba TRS8E65C,S1Q-

mouser_ship_limit

该产品可能需要其他文件才能进口到中国。

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS8E65C

产品型号

TRS8E65C,S1QTRS8E65C,S1Q

不同If时的电压-正向(Vf)

1.7V @ 8A

不同 Vr、F时的电容

44pF @ 650V、 1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

90µA @ 650V

二极管类型

碳化硅肖特基

产品

Schottky Silicon Carbide Diodes

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-220-2L

其它名称

TRS8E65CS1Q

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-2

封装/箱体

TO-220-2

峰值反向电压

650 V

工作温度-结

175°C (最大)

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

工厂包装数量

50

技术

SiC

最大二极管电容

44 pF

最大反向漏泄电流

90 uA

最大工作温度

+ 175 C

最大浪涌电流

40 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向电压下降

1.7 V

正向连续电流

8 A

热阻

2.35°C/W Jc

电压-DC反向(Vr)(最大值)

650V

电流-平均整流(Io)

8A(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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