Datasheet下载- 型号： TPH8R903NL,LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH8R903NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH8R903NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH8R903NL,LQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPH8R903NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH8R903NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPH8R903NL,LQ 是由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的单个器件。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 该型号适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、负载开关等。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够高效地控制电流流动，减少能量损耗。 2. 电机驱动 TPH8R903NL,LQ 可用于小型电机驱动电路中，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）或有刷直流电机的控制。其高性能特性使其适合需要快速开关和高效率的应用场景。 3. 电池管理系统 (BMS) 在电池保护和管理领域，这款 MOSFET 可用作充放电路径的开关元件，确保电池的安全运行并优化充电效率。 4. 汽车电子 该器件符合车规级要求（如通过 AEC-Q101 认证），因此广泛应用于汽车电子系统中，比如车载信息娱乐设备、电动座椅调节、电动车窗控制以及 LED 照明驱动等。 5. 消费类电子产品 包括智能手机快充模块、平板电脑外设接口保护、笔记本电脑内部电源分配网络等，都可能采用此类 MOSFET 来实现高效的功率转换与控制。 6. 工业自动化 在工业控制领域，TPH8R903NL,LQ 可用于继电器替代方案、固态继电器设计以及可编程逻辑控制器 (PLC) 的输出端口驱动。 7. 通信设备 如基站功率放大器偏置控制、服务器电源单元等也需要使用类似规格的 MOSFET 来满足高可靠性需求。 总之，TPH8R903NL,LQ 凭借其优异的电气性能和稳定性，在众多需要高效功率切换及低功耗操作的场合中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 630 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 20A 8SOPMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPH8R903NL,LQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH8R903NL |
| 产品型号 | TPH8R903NL,LQTPH8R903NL,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 24 W |
| Pd-功率耗散 | 24 W |
| Qg-GateCharge | 9.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.8 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.2 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 2.4 ns |
| 下降时间 | 8.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 820pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.9 毫欧 @ 10A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH8R903NLLQDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 38 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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