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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | TPCF8402(TE85L,F,M |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 2A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | VS-8(2.9x1.9) |
| 其它名称 | TPCF8402 (TE85L,F,M |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A,3.2A |