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  • 型号: TPCF8402(TE85L,F,M
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPCF8402(TE85L,F,M由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPCF8402(TE85L,F,M价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCF8402(TE85L,F,M封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPCF8402(TE85L,F,M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPCF8402(TE85L,F,M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

TPCF8402(TE85L,F,M

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

470pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 2A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

VS-8(2.9x1.9)

其它名称

TPCF8402 (TE85L,F,M
TPCF8402(TE85L,F)
TPCF8402(TE85L,F)-ND
TPCF8402FTR
TPCF8402TE85LFM

功率-最大值

330mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A,3.2A

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