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  • 型号: TPCA8103(TE12L,Q,M
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPCA8103(TE12L,Q,M由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPCA8103(TE12L,Q,M价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCA8103(TE12L,Q,M封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPCA8103(TE12L,Q,M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPCA8103(TE12L,Q,M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 TPCA8103(TE12L,Q,M) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET 器件,主要应用场景包括:

该MOSFET属于P沟道功率场效应晶体管,适用于需要高效、低导通电阻的电源管理系统。其典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)等,提供高效的电源转换。
2. 负载开关:在电池供电设备中作为高侧或低侧开关,控制电源通断。
3. 马达驱动:用于小型电机的控制电路中,实现高效开关操作。
4. LED背光驱动:在显示器或照明系统中用于电流控制和开关。
5. 工业自动化设备:作为功率开关用于PLC、传感器和执行器控制电路。
6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、充电器等便携设备中的电源管理模块。

该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适合高密度PCB布局和节能设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

TPCA8103(TE12L,Q,M

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7880pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

184nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

8-SOP 高级

功率-最大值

45W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerVDFN

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Ta)

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