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产品简介:
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型号为 TPCA8103(TE12L,Q,M) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET 器件,主要应用场景包括: 该MOSFET属于P沟道功率场效应晶体管,适用于需要高效、低导通电阻的电源管理系统。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)等,提供高效的电源转换。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为高侧或低侧开关,控制电源通断。 3. 马达驱动:用于小型电机的控制电路中,实现高效开关操作。 4. LED背光驱动:在显示器或照明系统中用于电流控制和开关。 5. 工业自动化设备:作为功率开关用于PLC、传感器和执行器控制电路。 6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、充电器等便携设备中的电源管理模块。 该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适合高密度PCB布局和节能设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | TPCA8103(TE12L,Q,M |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7880pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 184nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Ta) |