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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TLP184(GB-TPL,E)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TLP184(GB-TPL,E)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TLP184(GB-TPL,E)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TLP184(GB-TPL,E)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TLP184(GB-TPL,E) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 的 TLP184(GB-TPL,E) 是一款光隔离器(光电耦合器),采用晶体管输出设计。它通过光信号实现输入和输出之间的电气隔离,广泛应用于需要高抗干扰能力、低噪声传输以及安全隔离的场景。以下是其主要应用场景: 1. 工业自动化 - 用于 PLC(可编程逻辑控制器)中的信号隔离,保护控制系统免受高压或噪声干扰。 - 在传感器接口中,将模拟或数字信号与主电路隔离,确保信号的稳定性和安全性。 2. 电源管理 - 在开关电源(SMPS)中,用于反馈控制电路的隔离,确保初级和次级电路的安全隔离。 - 应用于 DC-DC 转换器,提供稳定的电压输出同时避免干扰。 3. 电机驱动 - 用于逆变器和变频器中,隔离控制信号与功率级电路,防止大电流对控制电路的影响。 - 在步进电机或伺服电机驱动系统中,保护微控制器或其他敏感器件。 4. 通信设备 - 在 RS-232、RS-485 等串行通信接口中,实现数据传输的电气隔离,减少噪声干扰。 - 用于光纤通信模块中,将电信号转换为光信号并进行隔离传输。 5. 医疗设备 - 在心电图仪、血压监测仪等医疗设备中,隔离患者与设备之间的电气连接,确保患者安全。 - 用于数据采集模块,防止外部干扰影响测量精度。 6. 汽车电子 - 在车载电子系统中,隔离 CAN 总线或其他通信协议的信号,提高系统的抗噪能力。 - 用于发动机控制单元(ECU)中,保护敏感电路免受电磁干扰。 7. 家用电器 - 在洗衣机、空调等家电的控制板中,隔离用户输入信号与主控电路,提高可靠性。 - 用于触摸屏或按键输入的信号隔离,防止干扰导致误操作。 特性优势 - 高耐压能力(通常可达 2500Vrms 或更高),适合高压环境。 - 快速响应时间,适用于高频信号传输。 - 小型化封装(如 SOP-4),便于集成到紧凑型设计中。 综上所述,TLP184(GB-TPL,E) 凭借其优异的电气隔离性能和可靠性,广泛应用于工业、通信、医疗、汽车及家用电器等领域,能够有效提升系统的安全性和稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 隔离器半导体 |
描述 | OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD晶体管输出光电耦合器 AC Input 80V Trans 3750Vrms Optocoupler |
产品分类 | 光隔离器 - 晶体管,光电输出集成电路 - IC |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba TLP184(GB-TPL,E)- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP184点击此处下载产品Datasheet |
产品型号 | TLP184(GB-TPL,E)TLP184(GB-TPL,E) |
Vce饱和值(最大值) | 300mV |
上升/下降时间(典型值) | 5µs, 9µs |
产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
供应商器件封装 | 6-SO, 4 个接脚 |
其它名称 | TLP184(GB-TPLE)CT |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD(4 个接脚),鸥形翼 |
封装/箱体 | SOIC-6 |
工作温度 | -55°C ~ 110°C |
工厂包装数量 | 3000 |
打开/关闭时间(典型值) | 9µs, 9µs |
最大上升时间 | 5 us |
最大下降时间 | 9 us |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 110 C |
最大正向二极管电压 | 1.4 V |
最大输入二极管电流 | 10 mA |
最大集电极/发射极电压 | 80 V |
最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
最大集电极电流 | 50 mA |
最小工作温度 | - 50 C |
标准包装 | 1 |
正向电流 | 16 mA |
每芯片的通道数量 | 1 Channel |
电压-正向(Vf)(典型值) | 1.25V |
电压-输出(最大值) | 80V |
电压-隔离 | 3750Vrms |
电流-DC正向(If) | 50mA |
电流-输出/通道 | 50mA |
电流传输比(最大值) | 400% @ 5mA |
电流传输比(最小值) | 100% @ 5mA |
电流传递比 | 400 % |
绝缘电压 | 3750 Vrms |
输入类型 | ACAC,DC |
输出类型 | 晶体管DC |
输出设备 | NPN Phototransistor |
通道数 | 1 |