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Datasheet下载- 型号： TLP137(F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TLP137(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TLP137(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TLP137(F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TLP137(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TLP137(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的TLP137(F)是一款光隔离器，属于晶体管、光电输出类别。该器件通过光电耦合技术实现信号的电气隔离，广泛应用于需要高隔离电压和稳定性能的场景。以下是其主要应用场景： 1. 工业控制 - PLC（可编程逻辑控制器）：用于输入/输出信号的隔离，防止噪声干扰，确保控制系统的稳定性和安全性。 - 电机驱动器：在变频器或伺服系统中，用于隔离控制信号和功率电路，保护控制电路免受高压影响。 - 传感器接口：将传感器信号与主控电路隔离，避免强电对弱电信号的干扰。 2. 电力电子设备 - 电源管理：在开关电源或不间断电源（UPS）中，用于反馈信号的隔离，确保电源系统的稳定运行。 - 逆变器：在太阳能逆变器或风能逆变器中，用于隔离直流和交流电路，提高系统的安全性和可靠性。 3. 通信设备 - 数据传输隔离：在长距离通信或嘈杂环境中，用于隔离数字信号，减少电磁干扰（EMI）的影响。 - 串口通信：如RS-232或RS-485接口，通过光电隔离保护通信线路，防止地环路引起的损坏。 4. 医疗设备 - 患者监护设备：如心电图仪（ECG）、血压监测仪等，用于隔离患者接触部分与设备主电路，确保患者安全。 - 诊断仪器：在需要高精度测量的设备中，提供信号隔离以消除噪声干扰。 5. 汽车电子 - 车载控制系统：如发动机控制单元（ECU）或车身控制系统，用于隔离高低电压电路，提高系统的抗干扰能力。 - 电动车充电系统：在充电桩或电池管理系统（BMS）中，用于隔离信号传输，确保充电过程的安全性。 6. 家用电器 - 智能家电：如洗衣机、空调等，用于隔离控制板与功率模块之间的信号，提升产品的可靠性和寿命。 - 触摸屏控制器：在需要人机交互的设备中，隔离用户输入信号与主控电路。 特点总结 TLP137(F)具有高耐压、低功耗、响应速度快等特点，适用于需要电气隔离、抗干扰能力强的场合。其典型隔离电压为5000Vrms，能够有效保护敏感电路免受高压冲击，同时支持稳定的信号传输。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP晶体管输出光电耦合器 Miniflat Coupler |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba TLP137(F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TLP137(F)TLP137(F) |
| Vce饱和值（最大值） | 400mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 8µs， 8µs |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 6-MFSOP，5 引线 |
| 其它名称 | TLP137F |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 6-SOIC（0.173"，4.40mm 宽，5 引线） |
| 封装/箱体 | MFSOP-6 |
| 工作温度 | -55°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 10µs， 8µs |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向二极管电压 | 5 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.3 V |
| 最大输入二极管电流 | 50 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 80 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.2 V |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 150 |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.15V |
| 电压-输出（最大值） | 80V |
| 电压-隔离 | 3750Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 50mA |
| 电流-输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最大值） | 1200% @ 1mA |
| 电流传输比（最小值） | 100% @ 1mA |
| 电流传递比 | 1200 % |
| 绝缘电压 | 3750 Vrms |
| 输入类型 | DCDC |
| 输出类型 | DC有基极的晶体管 |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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