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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK15A50D(Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK15A50D(Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK15A50D(Q,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK15A50D(Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK15A50D(Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 15A TO220SISMOSFET MOSFET N-CH 500V, 15A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK15A50D&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK15A50D(Q,M)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK15A50D点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TK15A50D(Q,M)TK15A50D(Q,M) |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 300 mOhms |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | SC-67-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 53 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |