Datasheet下载- 型号： TISP8200MDR-S
- 制造商： Bourns
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TISP8200MDR-S由Bourns设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TISP8200MDR-S价格参考。BournsTISP8200MDR-S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TISP8200MDR-S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TISP8200MDR-S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | THYRISTOR 120V 45A 8SOICSCR PROTECTOR - BUFFERED P-GATE PROG. PROT. |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管分离式半导体 |
| GateTriggerCurrent-Igt | 5 mA |
| 品牌 | Bourns |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体闸流管,SCR,Bourns TISP8200MDR-S- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TISP8200MDR-S |
| 不重复通态电流 | 11 A |
| 产品种类 | SCR |
| 保持电流Ih最大值 | - 150 mA |
| 元件数 | 2 |
| 关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下） | 0.005 mA |
| 关闭状态电容CO | 35 pF |
| 其它名称 | TISP8200MDR-S-ND |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Bourns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 开启状态RMS电流-ItRMS | - |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大栅极峰值反向电压 | 120 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极触发电流-Igt | 5 mA |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-导通 | 95V |
| 电压-断态 | 120V |
| 电压-通态 | - |
| 电容 | 35pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 45A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | - |
| 转折电流VBO | - 82 V |
| 额定重复关闭状态电压VDRM | - 120 V |
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