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详细数据请看参考数据手册
- 型号： TFZGTR18B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TFZGTR18B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TFZGTR18B价格参考。ROHM SemiconductorTFZGTR18B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TFZGTR18B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TFZGTR18B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的TFZGTR18B是一款齐纳二极管（Zener Diode），属于单齐纳二极管类别，主要用于电压箝位、稳压和电路保护。该器件具有稳定的击穿电压特性，适用于需要精确电压参考或过压保护的电子系统。 典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：在低压直流电源中作为基准电压源或辅助稳压元件，确保输出电压稳定。 2. 信号调理电路：用于限制信号幅度，防止后级电路因电压过高而损坏，常见于传感器接口或模拟前端设计。 3. ESD与瞬态电压保护：因其快速响应特性，可有效吸收静电放电（ESD）或瞬时电压脉冲，保护敏感元器件，适用于通信端口、按键输入等易受干扰节点。 4. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、家用电器等设备中的小型化电路模块，提供可靠的电压保护。 5. 工业控制与汽车电子：在噪声环境较复杂的系统中，用于稳定参考电压或保护低功耗IC免受电压波动影响。 TFZGTR18B采用小型表面贴装封装（如SOD-923），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性，满足工业级温度范围要求。其低功耗特性和紧凑设计使其成为便携式设备和空间受限应用的理想选择。总体而言，该齐纳二极管适用于需精准电压控制与可靠保护功能的中低端功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 500MW TUMD2稳压二极管 Diode Zener Single 17.26V 3% 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor TFZGTR18B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TFZGTR18B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 13V |
| 产品 | Zener Diode |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | TUMD2 |
| 其它名称 | TFZGDKR18BDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | - |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMD-2 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 200 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 23 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 23 欧姆 |
| 齐纳电压 | 17.7 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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