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  • 型号: TDZ5V1J,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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TDZ5V1J,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TDZ5V1J,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TDZ5V1J,115价格参考。NXP SemiconductorsTDZ5V1J,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount SOD-323F。您可以下载TDZ5V1J,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TDZ5V1J,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

TDZ5V1J,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括:

 1. 电压稳压
   - TDZ5V1J,115 的齐纳电压为 5.1V(典型值),适用于低功率电路中的电压稳压。它能够将输出电压稳定在齐纳电压附近,确保后级电路的供电稳定性。
   - 常见应用:为运算放大器、传感器或微控制器等低功耗设备提供稳定的参考电压。

 2. 过压保护
   - 在电源输入端或信号线路上,TDZ5V1J,115 可用于防止过高的电压对敏感元件造成损害。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将多余的能量泄放到地。
   - 常见应用:USB接口保护、通信线路保护等。

 3. 信号电平转换
   - 在模拟或数字信号传输中,TDZ5V1J,115 可以用来限制信号幅值,避免信号超出允许范围。
   - 常见应用:音频信号处理、数据通信接口保护。

 4. 参考电压源
   - 利用其稳定的齐纳电压特性,TDZ5V1J,115 可作为简单电路中的参考电压源,替代更复杂的稳压芯片。
   - 常见应用:简易比较器电路、基准电压生成。

 5. 浪涌抑制
   - 在瞬态电压抑制(TVS)场景中,TDZ5V1J,115 可以吸收短时间内的高电压脉冲,保护后续电路。
   - 常见应用:开关电源输入端保护、电机启动浪涌保护。

 6. 小型便携设备
   - 由于其小尺寸和低功耗特性,TDZ5V1J,115 非常适合应用于便携式电子设备,如可穿戴设备、手持式仪器等。

 特性总结:
- 额定功率:较低,适合小信号应用。
- 封装形式:紧凑型 SOD-923 封装,适合高密度设计。
- 工作温度范围:宽泛,适应各种环境条件。

综上所述,TDZ5V1J,115 主要应用于需要低功耗、小尺寸和高可靠性的电压稳压、保护及信号处理场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD323F

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

TDZ5V1J,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

2µA @ 2V

供应商器件封装

SOD-323F

其它名称

568-11304-1

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

容差

±2%

封装/外壳

SC-90,SOD-323F

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.1V

阻抗(最大值)(Zzt)

60 欧姆

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