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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C11-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C11-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C11-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84C11-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C11-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C11-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: BZX84C11-7-F 的齐纳击穿电压为 11V(±5% 精度),非常适合用作简单电路中的电压稳压器。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 11V 左右,保护后级电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护: 在信号线路或电源输入端,该齐纳二极管可以用于防止过高电压对敏感器件的损害。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将多余能量泄放到地。 3. 基准电压源: BZX84C11-7-F 可作为稳定的基准电压源,用于模拟电路或运算放大器的参考电压输入。它的低动态阻抗特性使其能够提供较为精确的电压值。 4. 钳位电路: 在信号处理电路中,齐纳二极管常被用来限制信号的幅值范围。例如,在音频或视频信号传输中,它可以确保信号不会超出预定的电压范围,从而避免失真或损坏。 5. 电源监控与复位电路: 该型号的齐纳二极管可以配合其他元件(如电阻和电容)设计成简单的电源监控电路。当系统电压低于或高于设定值时,触发复位或报警功能。 6. 小型电子设备中的应用: 由于其小尺寸(SOD-323 封装)和低功耗特性(最大功率耗散 500mW),BZX84C11-7-F 适合应用于便携式设备、消费电子产品以及工业控制领域的小型化设计中。 总之,BZX84C11-7-F 凭借其稳定的齐纳电压和紧凑封装,广泛适用于需要电压稳压、保护和基准的各类电路中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 11V 300MW SOT23-3稳压二极管 350MW 11V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C11-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C11-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | BZX84C11-FDITR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 350 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 9 mV/C |
系列 | BZX84C11 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
齐纳电压 | 11 V |
齐纳电流 | 5 mA |