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MMSZ33T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ33T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ33T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ33T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 33V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ33T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ33T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ33T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于齐纳二极管系列。它广泛应用于需要电压稳压、限幅和过压保护的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电压稳压 - MMSZ33T1G 的齐纳电压(Vz)为 3.3V,适合用于低电压稳压电路。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 3.3V,为微控制器、传感器或其他低功耗设备提供稳定的供电。 2. 过压保护 - 在信号传输或电源输入端,MMSZ33T1G 可以用作过压保护器件。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将电压钳位在 3.3V,从而保护后级电路免受过高电压的损害。 3. 信号电平转换 - 在模拟或数字信号处理中,该齐纳二极管可以用来钳位信号电平,确保信号幅度不超过特定范围。例如,在音频电路或数据通信接口中,它可以限制信号的峰值电压。 4. 参考电压源 - MMSZ33T1G 可作为简单的参考电压源,用于比较器、运算放大器或其他需要精确电压基准的应用中。尽管它的温度特性和精度不如专用的基准电压芯片,但在低成本应用中仍然非常实用。 5. ESD 防护 - 在某些敏感电路中,MMSZ33T1G 可以用来吸收静电放电(ESD)能量,防止瞬态高压损坏敏感元件。这种应用常见于 USB 接口、GPIO 引脚等外部连接部分。 6. 电池管理系统 - 在低电压电池管理中,MMSZ33T1G 可用于监控电池电压,确保其工作在安全范围内。例如,当电池电压低于或高于设定值时,齐纳二极管可以帮助触发报警或切断电路。 总结 MMSZ33T1G 的典型应用场景包括电压稳压、过压保护、信号钳位、参考电压源、ESD 防护以及电池管理等。由于其小型化封装(如 DO-35 或 SOD-323)和高可靠性,这款齐纳二极管非常适合消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD123稳压二极管 33V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ33T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ33T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 23.1V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ33T1GOSDKR |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ33 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
齐纳电压 | 33 V |
齐纳电流 | 10 mA |