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1N5363BG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5363BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5363BG价格参考。ON Semiconductor1N5363BG封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 30V 5W ±5% Through Hole Axial。您可以下载1N5363BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5363BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5363BG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其典型应用场景包括: 1. 电压稳压: 1N5363BG 的齐纳击穿电压为 5.1V(±5% 精度),适合用作简单电路中的电压稳压器。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 5.1V 左右,保护后级电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护: 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可以用来限制输入或输出电压,防止过高电压损坏后续元件。例如,在信号传输线路中,它能够钳位瞬态高电压,确保信号电平安全。 3. 参考电压源: 由于其稳定的击穿电压特性,1N5363BG 可作为基准电压源,用于模拟电路或比较器电路中。例如,在 ADC 或 DAC 电路中提供稳定的参考电压。 4. 信号电平调整: 在通信或音频电路中,齐纳二极管可用于将输入信号的幅度限制在特定范围内,避免失真或损坏接收端器件。 5. ESD 防护: 1N5363BG 能够快速响应静电放电(ESD)事件,吸收瞬时高电压,从而保护敏感元件。这种功能常用于 USB 接口、传感器输入等易受静电干扰的场景。 6. 电源监控电路: 在电池供电设备中,齐纳二极管可监测电池电压是否低于或高于设定值,并触发相应的保护机制。 7. 振荡器和定时电路: 结合其他元件(如电容和电阻),1N5363BG 可参与构建简单的振荡器或定时电路,用于产生周期性信号或延迟功能。 总之,1N5363BG 凭借其可靠的性能和经济性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,尤其是在需要电压调节、保护或参考的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 30V 5W AXIAL稳压二极管 30V 5W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5363BG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5363BG |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 22.8V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1N5363BG-ND |
| 功率-最大值 | 5W |
| 功率耗散 | 5 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | T-18,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 30V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压调节准确度 | 600 mV |
| 系列 | 1N53 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 30 V |
| 齐纳电流 | 158 mA |