图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： T1G6001528-Q3
- 制造商： TriQuint Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供T1G6001528-Q3由TriQuint Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 T1G6001528-Q3价格参考。TriQuint SemiconductorT1G6001528-Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载T1G6001528-Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有T1G6001528-Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | TriQuint Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频JFET晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,TriQuint Semiconductor T1G6001528-Q3 |
| 产品型号 | T1G6001528-Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 26 W |
| Pd-功率耗散 | 26 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 28 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 28 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 3.7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 3.7 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 功率耗散 | 26 W |
| 商标 | TriQuint Semiconductor |
| 增益 | 11.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaN SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 漏源电压VDS | 28 V |
| 类型 | GaAs HEMT |
| 系列 | T1G |
| 输出功率 | 18 W |
| 闸/源击穿电压 | - 3.7 V |
| 零件号别名 | 1079175 |
| 频率 | 6 GHz |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
