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详细数据请看参考数据手册
- 型号： Si8261BCD-C-IM
- 制造商： Silicon Laboratories
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供Si8261BCD-C-IM由Silicon Laboratories设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 Si8261BCD-C-IM价格参考。Silicon LaboratoriesSi8261BCD-C-IM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载Si8261BCD-C-IM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有Si8261BCD-C-IM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Silicon Labs 的 SI8261BCD-C-IM 是一款高性能的双通道栅极驱动隔离器，广泛应用于需要电气隔离和高效功率开关控制的场景。该器件采用电容隔离技术，具备高抗噪声能力和可靠性，适用于工业自动化、电机驱动、开关电源（SMPS）、光伏逆变器和电动汽车充电系统等。 在工业电机控制中，SI8261BCD-C-IM 可用于驱动 IGBT 或 MOSFET，实现对三相逆变器的精确控制，同时隔离高压主电路与低压控制电路，提升系统安全性。在开关电源中，它支持高频开关操作，提高电源转换效率。其高共模瞬态抗扰度（CMTI）确保在电磁干扰强烈的环境中稳定运行。 此外，该芯片工作温度范围宽（-40°C 至 +125°C），适合严苛工业环境，且集成故障保护功能，增强系统可靠性。SI8261BCD-C-IM 采用紧凑型 SOIC-8 封装，节省PCB空间，是中高功率隔离驱动应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| ChannelType | 单向 |
| 描述 | DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA门驱动器 5kV Opto input single Ch 2.5A drvr |
| 产品分类 | 隔离器 - 栅极驱动器电源管理 IC |
| IsolatedPower | 无 |
| 品牌 | Silicon LabsSilicon Laboratories Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 门驱动器,Silicon Labs Si8261BCD-C-IM- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | Si8261BCD-C-IMSI8261BCD-C-IM |
| PulseWidthDistortion(Max) | 10ns （标准） |
| 上升/下降时间（典型值） | 5.5ns， 8.5ns |
| 上升时间 | 5.5 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 产品 | Driver ICs - Various |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30161 |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 传播延迟tpLH/tpHL（最大值） | 60ns， 50ns |
| 传播延迟时间 | 60 ns |
| 供应商器件封装 | 8-LGA （10x12.5） |
| 共模瞬态抗扰度（最小值） | 35kV/µs |
| 关闭 | No |
| 其它名称 | 336-2419 |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Silicon Labs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-VLGA |
| 封装/箱体 | LGA-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 96 |
| 技术 | 容性耦合 |
| 数据速率 | - |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 96 |
| 激励器数量 | 1 Driver |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 2.8V （最小值） |
| 电压-电源 | 5 V ~ 30 V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 30mA |
| 电流-峰值输出 | 4A |
| 电流-输出高，低 | 500mA， 1.2A |
| 电源电压-最大 | 30 V |
| 电源电压-最小 | 5 V |
| 电源电流 | 2 mA |
| 类型 | 通用IGBT and MOSFET Driver |
| 系列 | Si8261BCD |
| 绝缘电压 | 5 kVrms |
| 脉宽失真（最大） | 10ns （标准） |
| 认可 | CQC， CSA， UR， VDE |
| 输入-输入侧1/输入侧2 | 1/0 |
| 输出电压 | 0.25 V |
| 输出电流 | 10 mA |
| 输出端数量 | 2 |
| 通道数 | 1 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
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