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- 型号： STW62NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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STW62NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW62NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STW62NM60N价格参考以及STMicroelectronicsSTW62NM60N封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STW62NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有STW62NM60N详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 55A TO-247MOSFET N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW62NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW62NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 350 W |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 174nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 49 毫欧 @ 32.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13288-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251690?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 450W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
| 系列 | STW62NM60N |
| 配置 | Single |
