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  • 型号: STL66N3LLH5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL66N3LLH5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL66N3LLH5价格参考。STMicroelectronicsSTL66N3LLH5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL66N3LLH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL66N3LLH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

1.5 nF

描述

MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21 A

Id-连续漏极电流

21 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL66N3LLH5STripFET™ V

数据手册

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产品型号

STL66N3LLH5

Pd-PowerDissipation

4.8 W

Pd-功率耗散

4.8 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 22 V

Vgs-栅源极击穿电压

22 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

14.5 ns

下降时间

4.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.8 毫欧 @ 10.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™(5x6)

其它名称

497-12272-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF252039?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

22.7 ns

功率-最大值

72W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-8 5x6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STL66N3LLH5

通道模式

Enhancement

配置

Single

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