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  • 型号: STF2LN60K3
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF2LN60K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF2LN60K3价格参考。STMicroelectronicsSTF2LN60K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF2LN60K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF2LN60K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 600V 2A TO-220FPMOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF2LN60K3SuperMESH3™

数据手册

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产品型号

STF2LN60K3

Pd-PowerDissipation

45 W

Pd-功率耗散

45 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

8.5 ns

下降时间

21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

235pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 欧姆 @ 1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-13396-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253217?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

23.5 ns

功率-最大值

20W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Tc)

系列

STF2LN60K3

通道模式

Enhancement

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