Datasheet下载- 型号： STE180NE10
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STE180NE10由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STE180NE10价格参考。STMicroelectronicsSTE180NE10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STE180NE10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STE180NE10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STE180NE10是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适用于多种工业和消费类电子应用。 STE180NE10的主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于提高转换效率并减小电源体积。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，用于控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：作为高效电子开关，控制电池供电设备中的电源分配，如笔记本电脑、平板和智能手机。 4. 照明系统：用于LED驱动电路中，实现高效率恒流控制。 5. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等，满足汽车环境中对可靠性和耐温性能的要求。 该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的散热能力，适用于高电流和高频工作条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STE180NE10 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 795nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 其它名称 | 497-3166-5 |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A |
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