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  • 型号: STD70NS04ZL
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD70NS04ZL由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD70NS04ZL价格参考。STMicroelectronicsSTD70NS04ZL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD70NS04ZL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD70NS04ZL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 33V 70A DPAKMOSFET N-Ch Clamped 9.5 ohm 70 A DPAK SAFeFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

70 A

Id-连续漏极电流

70 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD70NS04ZLSAFeFET™

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产品型号

STD70NS04ZL

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

32 nC

Qg-栅极电荷

32 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

33 V

Vds-漏源极击穿电压

33 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

70 ns

下降时间

95 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.5 毫欧 @ 30A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-10411-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF224226?referrer=70071840

功率-最大值

110W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

9.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

50 S

汲极/源极击穿电压

33 V

漏极连续电流

70 A

漏源极电压(Vdss)

33V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tc)

系列

STD70NS04ZL

配置

Single

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