Datasheet下载- 型号： STAC150V2-350E
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STAC150V2-350E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STAC150V2-350E价格参考。STMicroelectronicsSTAC150V2-350E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STAC150V2-350E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STAC150V2-350E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STAC150V2-350E是一款射频MOSFET晶体管，适用于高频、高功率射频应用。该器件主要应用于射频功率放大器，常见于无线通信基础设施，如蜂窝基站（4G/5G）、广播发射机、工业和医疗射频设备中。此外，它也适用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大。该MOSFET具有高效率、高增益和良好的热稳定性的特点，适合在VHF、UHF和微波频段下工作，是高性能射频系统设计中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSF RF N CH 700V STAC177B射频MOSFET晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 uA |
| Id-连续漏极电流 | 1 uA |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics STAC150V2-350E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STAC150V2-350E |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 700 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 700 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 供应商器件封装 | STAC177B |
| 其它名称 | 497-14547 |
| 功率-输出 | 500W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | STAC177B |
| 封装/箱体 | STAC177B |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 700 V |
| 漏极连续电流 | 1 uA |
| 电压-测试 | 150V |
| 电压-额定 | 700V |
| 电流-测试 | - |
| 系列 | STAC150V2 |
| 输出功率 | 500 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
| 频率 | 40.68 MHz |
| 额定电流 | 1µA |
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