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Datasheet下载- 型号： SSM6N15FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N15FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N15FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N15FE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6N15FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6N15FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N15FE |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6N15FE(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N15FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | SSM6N15FE(TE85L,F)SSM6N15FE(TE85L,F) |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.8pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6N15FE (TE85L,F) |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | ES-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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