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  • 型号: SQM120N04-1M7L-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SQM120N04-1M7L-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQM120N04-1M7L-GE3价格参考。VishaySQM120N04-1M7L-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SQM120N04-1M7L-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SQM120N04-1M7L-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 120A TO263MOSFET 40V 120A 375W NCh Automotive

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQM120N04-1M7L-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SQM120N04-1M7L-GE3SQM120N04-1M7L-GE3

Pd-PowerDissipation

375 W

Pd-功率耗散

375 W

Qg-GateCharge

190 nC

Qg-栅极电荷

190 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14606pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

285nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.7 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263

典型关闭延迟时间

74 ns

功率-最大值

375W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

212 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

120 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

SQM

配置

Single

零件号别名

SQM110N04-02L-GE3

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