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  • 型号: SPI21N50C3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPI21N50C3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPI21N50C3价格参考。InfineonSPI21N50C3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPI21N50C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPI21N50C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085

产品图片

产品型号

SPI21N50C3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 13.1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

供应商器件封装

PG-TO262-3

其它名称

SP000014463
SPI21N50C3HKSA1
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK

功率-最大值

208W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

560V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Tc)

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