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  • 型号: SPD50N03S2L-06G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPD50N03S2L-06G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPD50N03S2L-06G价格参考。InfineonSPD50N03S2L-06G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPD50N03S2L-06G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPD50N03S2L-06G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SPD50N03S2L-06G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO252-3(DPAK)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 6.0 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 50 A)及优化的开关特性。其典型应用场景包括:

1. 汽车电子:广泛用于车载电源管理,如DC-DC转换器(如12V→5V/3.3V)、车身控制模块(BCM)、LED车灯驱动、电动座椅/车窗电机驱动等;符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,支持12V/24V车载系统。

2. 工业电源与电机控制:适用于中小功率开关电源(SMPS)、伺服驱动器、步进/直流无刷(BLDC)电机的半桥或H桥驱动,尤其适合需高效率与快速开关的场合。

3. 消费类与嵌入式电源:用于笔记本适配器、USB PD快充次级同步整流、智能家电电源模块、UPS后备电源等,凭借低RDS(on)降低导通损耗,提升能效。

4. 负载开关与热插拔保护:作为高效、低损耗的电源通断开关,用于主板供电、板载模块上电管理及过流保护电路。

该器件集成稳健的体二极管,具备良好的雪崩耐受能力(UIS),并支持逻辑电平驱动(VGS(th) 约1–2.5 V),可直接由MCU或驱动IC控制,简化外围设计。综上,SPD50N03S2L-06G 主要面向对效率、可靠性与空间有较高要求的中低压(≤30V)大电流开关应用,尤其在汽车与工业领域表现突出。
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