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  • 型号: SPB80N06S2L-07
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPB80N06S2L-07由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB80N06S2L-07价格参考。InfineonSPB80N06S2L-07封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPB80N06S2L-07参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPB80N06S2L-07 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPP_B_80N06S2L-07.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4323e04577f&fileId=db3a304412b407950112b4323e785780

产品图片

产品型号

SPB80N06S2L-07

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4210pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 60A,10V

供应商器件封装

P-TO263-3

其它名称

SP000016357
SPB80N06S2L07T

功率-最大值

210W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

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