Datasheet下载- 型号： SN74HCT00DRG4
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
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SN74HCT00DRG4 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款四路双输入与非门（NAND Gate）逻辑芯片，属于 HCT 系列。以下是其常见的应用场景： 1. 数字电路设计 - SN74HCT00DRG4 可用于构建基本的数字逻辑电路，例如组合逻辑电路和时序逻辑电路。通过与其他逻辑门配合，可以实现加法器、减法器、编码器、解码器等功能。 - 在复杂系统中，它可以用作信号处理的核心组件，例如数据选择器、多路复用器等。 2. 信号控制与切换 - 这款芯片适用于需要对多个输入信号进行逻辑判断的应用场景。例如，在工业控制系统中，可以通过 NAND 门判断多个传感器的状态，并输出相应的控制信号。 - 它还可以用于信号切换，例如在音频或视频设备中选择不同的输入源。 3. 通信与接口设计 - 在通信系统中，SN74HCT00DRG4 可以用于数据流的控制和管理。例如，它可以作为信号缓冲器或驱动器，增强信号强度并减少干扰。 - 其 HCT（High-speed CMOS with TTL compatibility）技术使其兼容 TTL 和 CMOS 逻辑电平，非常适合混合信号系统的接口设计。 4. 嵌入式系统 - 在微控制器或单片机外围电路中，SN74HCT00DRG4 可用于扩展逻辑功能，例如生成特定的时钟信号或触发条件。 - 它可以用来优化嵌入式系统的功耗和性能，尤其是在低功耗应用中。 5. 家用电器与消费电子 - 在家用电器（如洗衣机、空调、冰箱等）中，这款芯片可以用于逻辑控制，例如检测开关状态、温度传感器信号处理等。 - 在消费电子产品中，它可以用于简单的逻辑运算和信号处理，例如遥控器中的编码与解码。 6. 教育与实验 - SN74HCT00DRG4 广泛应用于教学和实验中，帮助学生理解数字逻辑的基本原理。通过搭建简单的 NAND 门电路，学生可以学习布尔代数和逻辑门的工作机制。 总结 SN74HCT00DRG4 的应用场景非常广泛，涵盖了工业控制、通信、嵌入式系统、家用电器以及教育领域。凭借其高可靠性、低功耗和兼容性强的特点，它成为许多数字电路设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SOIC逻辑门 Quadruple 2-Input Positive-NAND gates |
| 产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器集成电路 - IC |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,Texas Instruments SN74HCT00DRG474HCT |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SN74HCT00DRG4 |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 18ns @ 5.5V，50pF |
| 产品 | NAND |
| 产品种类 | 逻辑门 |
| 传播延迟时间 | 22 ns |
| 低电平输出电流 | 4 mA |
| 供应商器件封装 | 14-SOIC |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 122.400 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-14 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极数量 | 4 Gate |
| 标准包装 | 2,500 |
| 特性 | - |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流-输出高，低 | 4mA，4mA |
| 电流-静态（最大值） | 2µA |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电路数 | 4 |
| 系列 | SN74HCT00 |
| 输入/输出线数量 | 2 / 1 |
| 输入数 | 2 |
| 输入线路数量 | 2 |
| 输出线路数量 | 1 |
| 逻辑电平-低 | 0.8V |
| 逻辑电平-高 | 2V |
| 逻辑类型 | 与非门 |
| 逻辑系列 | HCT |
| 高电平输出电流 | - 4 mA |
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