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- 型号： SN74AS30DBR
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SN74AS30DBR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN74AS30DBR价格参考。Texas InstrumentsSN74AS30DBR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SN74AS30DBR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SN74AS30DBR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SN74AS30DBR 是德州仪器（TI）推出的高速双极型逻辑器件，属于“逻辑 - 栅极和逆变器”类，具体为8输入 NAND 门（单路），采用 SOIC-14 封装（DBR 后缀）。其核心特性包括：AS 系列的高速性能（典型传播延迟约 3.5 ns）、高驱动能力、宽工作电压范围（4.5 V–5.5 V）及较强的抗噪声能力。 典型应用场景包括： ✅ 数字系统中的关键逻辑控制：如在工业PLC、通信设备或测试仪器中实现多条件使能/禁止信号的合成（例如仅当全部8个传感器信号为高时才触发动作）； ✅ 高速数据通路选通与握手控制：用于微处理器系统中总线仲裁、DMA 请求合并或中断优先级编码的前置逻辑； ✅ 电平转换与信号整形：利用其陡峭的输出边沿和低输入电容，对劣化或慢速的TTL/CMOS信号进行再生整形； ✅ 老式军用/航天电子系统的替代与维护：因AS系列具备高可靠性与温度适应性（工业级–40°C 至 +85°C），常用于升级或替换已停产的74S系列系统。 需注意：该器件为非CMOS工艺，功耗相对较高，不适用于电池供电或低功耗场景；且为单功能8输入NAND，设计中需配合其他逻辑器件完成复杂功能。当前已属成熟/逐步淘汰产品，新设计建议评估TI的更先进替代方案（如LVC或AUP系列），但维修、兼容性替换或特定高速需求场景中仍有实用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC GATE NAND 1CH 8-INP 14-SSOP |
| 产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SN74AS30DBR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 74AS |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 5ns @ 5V，50pF |
| 供应商器件封装 | 14-SSOP |
| 其它名称 | SN74AS30DBRE4 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 14-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 特性 | - |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流-输出高，低 | 2mA，20mA |
| 电流-静态（最大值） | - |
| 电路数 | 1 |
| 输入数 | 8 |
| 逻辑电平-低 | 0.8V |
| 逻辑电平-高 | 2V |
| 逻辑类型 | 与非门 |
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