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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5115T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5115T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5115T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMUN5115T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN5115T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5115T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管结构。该器件集成了一个BJT晶体管和一个内置偏置电阻网络,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 该晶体管常用于以下应用场景: 1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关电路,如数字电路驱动负载(LED、继电器、小型电机等)。 2. 信号放大:适用于低频信号放大应用,如音频放大器中的前置放大级。 3. 电源管理:在电源管理系统中用于电流控制和电压调节。 4. 汽车电子:因其高可靠性和稳定性,广泛用于汽车电子系统,如车身控制模块、照明控制和传感器接口。 5. 工业自动化:在工业控制设备中用于执行器驱动、信号转换和接口电路。 6. 消费类电子产品:如家用电器、智能电表、充电器等,实现高效、简洁的控制功能。 SMUN5115T1G 的优势在于减少外围元件数量、提高系统稳定性,并节省PCB空间,适用于对成本和空间敏感的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SC70 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMUN5115T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |