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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMF26AT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMF26AT1G价格参考。ON SemiconductorSMF26AT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMF26AT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMF26AT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMF26AT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于SMF系列(表面贴装、小体积、高可靠性),额定反向关断电压(Vrwm)为26 V,击穿电压(Vbr)典型值约28.9 V,峰值脉冲功率(PPPM)为200 W(10/1000 μs波形)。 其主要应用场景包括: - 电源输入端口保护:用于工业控制板、通信设备或消费电子产品的DC输入(如24 V系统),防止雷击感应、开关浪涌或电源反接引起的瞬态过压(如±30 V以内尖峰)。 - 信号线ESD防护:适用于RS-485、CAN总线、传感器接口等低速通信线路,提供IEC 61000-4-2 Level 4(±15 kV接触放电)级别的静电防护。 - 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101标准,可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中非关键低压(≤26 V)供电轨的瞬态抑制(如USB供电、LIN总线电源侧)。 - 嵌入式系统I/O端口保护:在微控制器、FPGA外围接口(如GPIO、ADC输入)前级,吸收人为ESD或耦合噪声,避免器件闩锁或损坏。 该器件采用SOD-123封装,尺寸小(2.7 × 1.6 × 1.0 mm)、响应快(<1 ns),适合空间受限且需高可靠防护的设计。需注意:不可用于持续过压或大能量浪涌场合(如AC电源主入口),应配合保险丝或PTC协同使用以实现完整保护方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 26VWM 42.1VC SOD123FLTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 200W Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor SMF26AT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMF26AT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-123FL |
| 其它名称 | SMF26AT1GOS |
| 击穿电压 | 28.9 V |
| 功率-峰值脉冲 | 1000W (1kW) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123FL |
| 尺寸 | 1.65 mm W x 2.7 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 4.8 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 1 kW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 26 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿(最小值) | 28.9V |
| 电压-反向关态(典型值) | 26V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 42.1V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 4.8A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | SMF5.0AT1G |
| 钳位电压 | 42.1 V |