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  • 型号: SMF26AT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMF26AT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMF26AT1G价格参考。ON SemiconductorSMF26AT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMF26AT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMF26AT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMF26AT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于SMF系列(表面贴装、小体积、高可靠性),额定反向关断电压(Vrwm)为26 V,击穿电压(Vbr)典型值约28.9 V,峰值脉冲功率(PPPM)为200 W(10/1000 μs波形)。

其主要应用场景包括:  
- 电源输入端口保护:用于工业控制板、通信设备或消费电子产品的DC输入(如24 V系统),防止雷击感应、开关浪涌或电源反接引起的瞬态过压(如±30 V以内尖峰)。  
- 信号线ESD防护:适用于RS-485、CAN总线、传感器接口等低速通信线路,提供IEC 61000-4-2 Level 4(±15 kV接触放电)级别的静电防护。  
- 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101标准,可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中非关键低压(≤26 V)供电轨的瞬态抑制(如USB供电、LIN总线电源侧)。  
- 嵌入式系统I/O端口保护:在微控制器、FPGA外围接口(如GPIO、ADC输入)前级,吸收人为ESD或耦合噪声,避免器件闩锁或损坏。

该器件采用SOD-123封装,尺寸小(2.7 × 1.6 × 1.0 mm)、响应快(<1 ns),适合空间受限且需高可靠防护的设计。需注意:不可用于持续过压或大能量浪涌场合(如AC电源主入口),应配合保险丝或PTC协同使用以实现完整保护方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 26VWM 42.1VC SOD123FLTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 200W Unidirectional

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor SMF26AT1G-

数据手册

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产品型号

SMF26AT1G

PCN设计/规格

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不同频率时的电容

-

产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SOD-123FL

其它名称

SMF26AT1GOS

击穿电压

28.9 V

功率-峰值脉冲

1000W (1kW)

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123F

封装/箱体

SOD-123FL

尺寸

1.65 mm W x 2.7 mm L

峰值浪涌电流

4.8 A

峰值脉冲功率耗散

1 kW

工作温度

-55°C ~ 150°C

工作电压

26 V

工厂包装数量

3000

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

极性

Unidirectional

标准包装

3,000

电压-击穿(最小值)

28.9V

电压-反向关态(典型值)

26V

电压-箝位(最大值)@Ipp

42.1V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

4.8A (8/20µs)

电源线路保护

无

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

SMF5.0AT1G

钳位电压

42.1 V

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