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  • 型号: SMBF5460LT1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMBF5460LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMBF5460LT1价格参考。ON SemiconductorSMBF5460LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMBF5460LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMBF5460LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMBF5460LT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET,采用SOT-23超小型表面贴装封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约2.5Ω @ Vgs=10V)、低栅极电荷、快速开关特性及高可靠性。其额定电压为60V,连续漏极电流ID为0.2A(Tc=25°C),适用于低功耗、小电流开关场景。

典型应用场景包括:  
1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制、SIM卡/存储卡电源开关等;  
2. 信号切换与逻辑电平转换:在微控制器(MCU)I/O口驱动能力受限时,用作GPIO扩展开关,控制传感器、指示灯或小功率外设的通断;  
3. 电池供电系统保护电路:配合检测电路实现过流/反向电压保护中的负载开关功能;  
4. 消费类家电辅助电路:如遥控器、电子门锁、温控器中用于按键扫描、红外发射管驱动或蜂鸣器驱动;  
5. 工业与IoT节点:在空间受限的传感器节点中,作为低功耗唤醒开关或信号路径选通器件。

其SOT-23封装便于高密度PCB布局,支持自动化贴片生产;ESD防护能力(HBM ≥2kV)增强了系统鲁棒性。需注意:该器件不适合大电流或高功率应用(如电机主驱、DC-DC主开关),设计时应确保Vgs驱动电压≥4.5V以充分导通,并预留足够散热余量(尤其在连续工作条件下)。
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