Datasheet下载- 型号： SM8S12-E3/2D
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SM8S12-E3/2D由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SM8S12-E3/2D价格参考。VishaySM8S12-E3/2D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SM8S12-E3/2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SM8S12-E3/2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division的SM8S12-E3/2D是一款表面贴装的瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和其它瞬态电压事件的影响。该器件具有较高的脉冲功率处理能力，适用于需要高可靠性和高性能保护的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 通信设备：用于保护以太网、USB、RS-485等接口电路，防止因雷击或静电引起的损坏。 2. 工业控制系统：在PLC、变频器和工业计算机中提供电源及信号线保护。 3. 汽车电子系统：适用于车载充电系统、ECU模块以及CAN总线通信线路的瞬态保护。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、打印机和智能家电，用于保护敏感IC免受外部接口引入的高压冲击。 5. 可再生能源系统：例如太阳能逆变器，用于保护直流侧电路中的关键元件。 该器件采用DO-214AB封装，适合自动化贴片生产，广泛应用于要求紧凑设计和高效能保护的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SM8S12-E3/2D |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PAR® |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-218AB |
| 功率-峰值脉冲 | 6600W （6.6kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-218AB |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 750 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 332A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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